快科技8月27日消息配资具体流程，华为服务器处理器鲲鹏系列要更新了，毕竟鲲鹏920是2019年发布的。
现在，有媒体曝光了华为鲲鹏930的信息，看起来升级幅度相当的大，有可能也用上了5nm工艺。
报道中提到，鲲鹏930的封装尺寸约为77.5mm x 58.0mm（毕竟是120核心），这是一个很大的尺寸，这主要是由于鲲鹏930采用Chiplet（小芯片）配置，由四个不同的芯片组成。
因此，整个芯片封装由四个不同的计算小芯片组成，面积约为252.3 mm?，以及一个大型 I/O die，面积约为312.3 mm。与鲲鹏920相比，后继产品的 I/O die 面积大约大了81.26%，主要是因为它提供了更高的96通道内存连接。
具体到CPU die的尺寸为 23.47mm x 10.75mm，包含十个CPU集群，每个集群由四个CPU内核，这意味着单个CPU die 有 40 个CPU内核。因此，鲲鹏930 的CPU内核总数为120个。
每个CPU die都拥有2MB 的二级缓存并共享 91MB 的三级缓存。仔细检查 CPU 芯片可以得出结论，它基于华为自研的基于Arm指令集的“泰山”核心。
如果简单来说，那就是鲲鹏930的CPU内核数量是前代鲲鹏920的2倍左右，以此来推算的话，可能是5nm工艺驱动的更高SRAM密度。
如果真是这样的话，那么5nm工艺必然也会用到麒麟9300上。
要知道，之前就有博主爆料称，外界盛传的国产N+3（外界盛传达到125mtr）工艺消息大概率是靠谱的，因为专利显示的H210G56指标，计算下来就是125mtr的布线密度。
博主表示，如果真成了，那也意味着国产5nm工艺就达成稳了。
据悉，中芯国际的N+3工艺具有显著的晶体管密度，达到了125MTr/mm（即每平方毫米125亿个晶体管）。这一密度介于台积电的N6（113MTr/mm）与三星早期的5nm（127MTr/mm）工艺之间，相当于台积电的5.5nm工艺水平。
若以14nm工艺为基点（密度约35MTr/mm），N+3的密度提升幅度超过了250%，这标志着中芯国际在FinFET架构上的持续优化能力。
尽管N+3的命名容易让人联想到“等效5nm”，但其实际性能功耗表现对标的是台积电的N7P（7nm增强版）和N6工艺。这意味着在相同晶体管数量下，中芯国际N+3的能效可能比台积电的N5/N4工艺落后约15%~20%，这主要受限于EUV光刻机的短缺导致的工艺复杂度不足。然而，对于长期依赖成熟制程的国产芯片而言，这一进步已经足够打破多项技术瓶颈。
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